內容簡介
最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍
《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。
Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。
全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）
第四版特色
1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。
2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。
3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。
4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。
作者介紹
作者簡介
施敏
國立陽明交通大學電機工程學院名譽教授、電機電子工程師學會尊榮會員、中央研究院院士及美國國家工程院院士。施敏教授為半導體元件作出了根本的開創性貢獻，特別是共同發現導致第四次工業革命的浮閘記憶體效應。施博士著作等身，曾撰寫、合著和編輯了四百多篇論文和十六本書。
李義明
國立陽明交通大學電機工程學系教授，曾任美國史丹福大學、法國格勒諾布林科技學院和日本東北大學客座教授。在期刊、會議和書籍章節上發表過三百多篇技術文章。李博士是電機電子工程師學會會員，並擔任包括國際電子元件會議在內的許多國際專業會議的議程委員會委員。他曾榮獲潘文淵文教基金會研究考察獎和中國電機工程學會傑出青年電機工程師獎。
伍國珏
美國韋恩州立大學歐洲經委會產業顧問委員會成員、國立陽明交通大學兼任教授、IEEE Life Fellow。伍博士於1980年加入貝爾實驗室，其後在其旗下朗訊科技和阿格雷系統服務。2007年至2019年，任職於美國最大的民間半導體研究機構 Semiconductor Research Corporation（SRC），曾任IEEE Electron Device Letters期刊編輯。出版過多本著作，包括Complete Guide to Semiconductor Devices一書。
譯者簡介
顧鴻壽
臺北海洋科技大學創新設計學院教授兼院長。國立交通大學電子所博士畢業，曾任職於工業技術研究院、光電半導體產業、明新科技大學，日本大阪大學客員教授、日本半導體研究所、日本東京大學、韓國慶熙大學等訪問學者，編輯有光電平面顯示器、有機發光二極體、太陽能電池元件概論、第三代半導體材料及元件等相關性書籍，發表多篇國際性期刊論文及獲得多項發明專利。
陳密
明新科技大學應用材料科技系教授。國立交通大學材料系博士畢業，曾任職於中山科學研究院，其後轉入教職，曾任明新科技大學材料系主任、學務長、通識教育中心主任。主要研究領域為奈米碳管與石墨烯等碳材料之純化與應用，曾發表多篇碳材料期刊論文與獲得多項專利。
目錄
【第一部分 半導體物理】
第一章 半導體物理及特性──回顧篇
1.1 簡介
1.2 晶體結構
1.3 能帶與能隙
1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
1.5 載子傳輸現象
1.6 聲子、光和熱特性
1.7 異質接面與奈米結構
1.8 基本方程式與範例
【第二部分 元件建構區塊】
第二章 p-n接面
2.1 簡介
2.2 空乏區
2.3 電流—電壓特性
2.4 接面崩潰
2.5 暫態行為與雜訊
2.6 終端功能
2.7 異質接面
第三章 金屬—半導體接觸
3.1 簡介
3.2 位障的形成
3.3 電流傳輸過程
3.4 位障高度的量測
3.5 元件結構
3.6 歐姆接觸
第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器
4.1 簡介
4.2 理想MIS電容器
4.3 矽MOS電容器
4.4 MOS電容器的載子傳輸
【第三部分 電晶體】
第五章 雙極性電晶體 (BJT)
5.1 簡介
5.2 靜態特性
5.3 雙極性電晶體的緊密模型
5.4 微波特性
5.5 相關元件結構
5.6 異質接面雙極性電晶體
5.7 自熱效應
第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET)
6.1 簡介
6.2 基本元件特性
6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4 元件微縮與短通道效應
6.5 MOSFET結構
6.6 電路應用
6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體
6.8 單電子電晶體
第七章 非揮發性記憶體元件
7.1 簡介
7.2 浮動閘極概念
7.3 元件結構
7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型
7.5 多層單元與三維結構
7.6 應用與尺寸微縮挑戰
7.7 替代性結構
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統(SI Units)
C. 國際單位前置字
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量
H. Si與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型
J. SiO2 與Si3N4 的特性
K .雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
